Subjects: FILMES FINOS, PLASMA (MICROELETRÔNICA), PROCESSOS DE MICROELETRÔNICA
ABNT
ROCHA, Otávio Filipe da. Caracterização de filmes finos de óxido de silício depositados em um reator HD-PECVD a partir de TEOS a ultra baixa temperatura. 2007. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2007. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08012008-142809/. Acesso em: 15 maio 2024.APA
Rocha, O. F. da. (2007). Caracterização de filmes finos de óxido de silício depositados em um reator HD-PECVD a partir de TEOS a ultra baixa temperatura (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08012008-142809/NLM
Rocha OF da. Caracterização de filmes finos de óxido de silício depositados em um reator HD-PECVD a partir de TEOS a ultra baixa temperatura [Internet]. 2007 ;[citado 2024 maio 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08012008-142809/Vancouver
Rocha OF da. Caracterização de filmes finos de óxido de silício depositados em um reator HD-PECVD a partir de TEOS a ultra baixa temperatura [Internet]. 2007 ;[citado 2024 maio 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08012008-142809/